Японські дослідники з Національного інституту AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) розробили транзистори нового типу, які м’які, еластичні і витримують досить сильні механічні дії. Більшість компонентів цих транзисторів виготовлені з гуми, кремнійвміщуваного гелю і еластичного пластику. Завдяки цьому транзистори без втрати працездатності можуть витримувати механічні навантаження, можуть бути занурені у воду і на них може наступити жінка на високому каблуці-шпильці. Все це дозволить виготовляти на базі подібних транзисторів датчики, які будуть розташовуватися на одязі або прямо на підлозі житлових, офісних і виробничих приміщень.Транзистор виготовляється шляхом формування електродів затвора, стоку, витоку, діелектричного шару і каналу в обсязі кремнієвмісної гуми, товщина якої не перевищує 1 міліметра. Розмір одного транзистора становить 1 на 1 міліметр, а довжина і ширина його каналу — 700 і 50 мікрометрів відповідно.
Для формування кожного з електродів транзистора використовується композитний матеріал, питома провідність якого була підвищена за рахунок введення вуглецевих нанотрубок в склад цього матеріалу. Діелектричний шар, що відокремлює затвор від каналу, виготовлений з гелеобразного полімерного матеріалу, просоченого іонною рідиною, а сам канал являє собою доріжку з вуглецевих нанотрубок, розташованих хаотичним чином, завдяки чому властивості цієї доріжки відповідають властивостям напівпровідникового матеріалу.Гелеподібний ізолюючий шар діє зовсім не так, як шар окису у звичайних польових транзисторах. Коли на затвор подається електричний потенціал, іони приходять у рух і створюють додатковий іонний ізолюючий шар, який і грає роль діелектрика.
Відношення струму у відкритому стані до струму в закритому стані у гумового транзистора невелика і складає 104 при напрузі на затворі від -2 до 1 Вольта. І ці показники не дуже сильно змінюються при розтягуванні транзистора і наступній його повернення у вихідний стан. Деякі зміни в параметрах почали проявлятися лише після 1000 деформацій, коли транзистор розтягувався на 40-50 відсотків від його початкового розміру. Більш того, робочі характеристики гумового транзистора практично не змінилися, коли на нього настала жінка в туфлі з високим каблуком-шпилькою. Виникаючий при цьому тиск становив 25 кілограм на квадратний сантиметр, і це на 70 відсотків вище, ніж тиск, який чиниться на дорогу шиною навантаженого автомобіля.»Схеми з гумовими транзисторами продовжують функціонувати навіть тоді, коли вони згорнуті або зігнуті під гострим кутом» — розповідає Ацуко Секигучи (Atsuko Sekiguchi), один з дослідників, — «Це дозволить використовувати такі схеми в навіть самих складних умовах, на одязі, на стінах і підлогах приміщень, в промисловому обладнанні, на дорогах і в безлічі інших місць, де умови праці далекі від ідеальних».